配资平台查询 OPPO Find X8发布,英诺赛科为其注入AllGaN黑科技
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10月24日,全球领先的智能终端制造商OPPO发布了最新的旗舰手机 Find X8/X8 pro,主打轻薄直屏和影像旗舰,天玑9400处理器与潮汐引擎的超强配置,配合冰川电池与极速充电技术,能够为用户带来流畅的操作体验和持久的续航表现。
据了解,OPPO 此次发布的Find X8/X8 pro系列手机采用了英诺赛科全链路氮化镓(AllGaN)技术,从电源侧的快速充电(80W超级闪充和50W无线充)到手机内部主板的充电过压保护(OVP),均采用了英诺赛科氮化镓。
据悉,英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者,也是全球最大的氮化镓芯片制造企业。公司采用IDM全产业链商业模式,并在全球范围内首次实现了先进的8英寸氮化镓量产工艺,是全球氮化镓行业的龙头企业,于2023-2024年,连续2年入选“胡润全球独角兽榜”。
英诺赛科的氮化镓产品用于各种低中高压应用场景,产品研发范围覆盖15V至1200V,涵盖晶圆、分立器件、IC、模组,并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今,英诺赛科拥有近700项专利及专利申请,产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。
全链路氮化镓(AllGaN)技术
第三代半导体氮化镓材料具备高能效、高频率的特性,能够打造体积更小、充电更快且安全性更高的产品。
OPPO 在Find X8/X8 pro系列手机主板充电过压保护和50W无线充产品中,采用了英诺赛科40V双向导通芯片VGaN,一颗替代两颗背靠背的 Si MOS,大大简化了内部空间,使产品设计更加轻薄。同时,VGaN 具备双向导通或关断的特性,能在手机充电过程中对电池进行主动保护,增强了安全性和使用寿命。50W无线充更是满足了用户随时随地快速充电的需求。
充电侧的超级闪充则采用了英诺赛科高压GaN,该芯片采用TO-252 封装,阻抗更低,散热更强,效率更高。根据 OPPO 官方数据对比,采用英诺赛科高压 GaN 的80W 超级闪充与此前标配的80W适配器相比,体积减小约18%,随身携带更方便。
全球领先的智能终端制造商选择与英诺赛科长期深度合作,体现了其对创新技术和产品性能的信心和决心。据了解,该厂商已有多个系列产品(包括 Find X7/X8/Ultra,Realme GT 系列,一加 Ace 系列,以及 50W~150W 快充)的主板和充电器均采用了英诺赛科 AllGaN 技术,实现了产品性能与竞争力的领先。
氮化镓赋能未来,共促行业创新
氮化镓材料以其高频、高电子迁移率、强抗辐射能力及低导通电阻等卓越特性,正逐步改变功率半导体行业格局。权威机构预测,2023年至2028年间,全球氮化镓功率半导体市场规模将实现指数级增长,复合年增长率高达98.5%,市场潜力巨大。
作为全球功率半导体革命的先驱,英诺赛科持续引领氮化镓功率半导体行业进入加速发展阶段,弗若斯特沙利文预计至2028年,全球市场规模将达到501.4亿元人民币。
占据优势赛道,据悉,英诺赛科最近三年业务高速增长,收入由2021年的6821.5万元(人民币,下同)增加至2023年的5.9亿元,2021年-2023年,收入复合年增长率高达194.8%。
一方面全球氮化镓下游应用进入爆发期,需求端强力拉动,另一方面得益于公司长期富有远见的战略布局,英诺赛科采用IDM模式,在产品设计、工艺制造、测试及下游应用等方面持续大量投入,确立了独特且无可比拟的技术领先地位及综合运营优势,能够有效满足市场强劲需求。
作为第三代半导体氮化镓革命的领导者,未来,英诺赛科将持续深耕,期待以更加卓越的技术,助力更多行业厂商,打造更极致更优质的产品,共同推动行业创新及应用。
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